據(jù)韓國媒體最新報道，三星半導體目前已經(jīng)研發(fā)出了世界上第一顆基于10nm FinFET工藝的SRAM。其實IBM半導體聯(lián)盟早在今年7月就制造了世界首個10nm的晶圓，但由于10nm工藝的技術(shù)難題，各大半導體廠家都相繼推遲了它們的10nm工藝計劃。
所謂的SRAM中文譯名是靜態(tài)隨機存取存儲器，大多數(shù)用于CPU緩存，基于10nm的SRAM相比于14nm而言，其面積可減少30%左右，這意味著將一定程度的降低CPU的功耗以及發(fā)熱，同時可以以更小的面積塞進更多緩存，可提高CPU的性能。
就目前各家的10nm進展而言，IBM的商用10nm工藝最快也要2018年才面世，Intel的10nm也推遲到了2017年，臺積電方面曾宣布將在2017年第一季度量產(chǎn)10nm CPU，而根據(jù)三星目前的計劃以及進展，10nm的量產(chǎn)CPU最快可在2016年底實現(xiàn)，也許Galaxy S8還能趕上10nm SoC的首發(fā)呢。
轉(zhuǎn)自：IT之家
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